CXDM6053N TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-243AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-89
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 5.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-243AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-89
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 5.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	20V

CXDM6053N TR

CXDM6053N TR характеристики